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信息科学与技术学院 [1]
作者
邹新波 [1]
李珂 [1]
马毅 [1]
文献类型
会议论文 [1]
发表日期
2024 [1]
出处
2024 IEEE ... [1]
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Linearity-Enhanced GaN Power Amplifier with Dual-Transistor Compensation Strategy
会议论文
2024 IEEE MTT-S INTERNATIONAL WIRELESS SYMPOSIUM (IWS), Beijing, China, 16-19 May 2024
作者:
Ke Li
;
Yi Ma
;
Xinbo Zou
JPEG(176Kb)
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提交时间：2024/09/19
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
Junction gate field effect transistors
Masers
Power amplifiers
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Compensation strategy
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GaN power amplifier
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