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研究单元&专题
物质科学与技术学院 [2]
作者
秦华 [2]
丁青峰 [2]
刘亮 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2022 [1]
2021 [1]
出处
微纳电子技术 [2]
语种
中文 [2]
资助项目
资助机构
收录类别
北大核心 [2]
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KMS
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期刊影响因子降序
基于AlGaN/GaN HEMT的340GHz太赫兹外差探测器和中频放大器集成
期刊论文
微纳电子技术, 2022, 卷号: 59, 期号: 09, 页码: 846-852
作者:
范飞
;
丁青峰
;
张金峰
;
程凯
;
孙建东
Adobe PDF(1557Kb)
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收藏
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浏览/下载:337/0
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提交时间:2022/12/14
氮化镓(GaN)
太赫兹探测器
高电子迁移率晶体管(HEMT)
中频(IF)放大器
外差
噪声等效功率(NEP)
源漏偏置电压对AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器灵敏度的调控
期刊论文
微纳电子技术, 2021
作者:
刘亮
;
熊圣浩
;
丁青峰
;
冯伟
;
朱一帆
Adobe PDF(897Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:1071/39
|
提交时间:2021/05/18
太赫兹探测器
噪声
噪声等效功率
高电子迁移率晶体管
自混频
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