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	p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀期刊论文半导体技术, 2018, 卷号: 43, 期号: 06, 页码: 449-455 作者: 钱茹; 程新红; 郑理; 沈玲燕; 张栋梁 Adobe PDF(1926Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：265/0 \| 提交时间：2022/12/14 GaN 选择性刻蚀电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 AlGaN/GaN HEMT 刻蚀形貌
	Morphology improvement of SiC trench by inductively coupled plasma etching using Ni/Al2O3 bilayer mask 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 卷号: 67, 页码: 104-109 作者: Li, Jingjie; Cheng, Xinhong; Wang, Qian; Zheng, Li; Shen, Lingyan Adobe PDF(915Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：515/3 \| 提交时间：2017/08/26 SiC ICP etching Ni/Al2O3 mask Contamination Micro-mask Micro-trench
	0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证期刊论文半导体技术, 2017, 卷号: 42, 期号: 06, 页码: 469-474 作者: 卢仕龙; 刘汝萍; 林敏; 俞跃辉; 董业民 Adobe PDF(1190Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：238/0 \| 提交时间：2022/12/14 绝缘体上硅(SOI) 标准单元库测试芯片总剂量辐射现场可编程门阵列(FPGA)

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