Low-Power High-Efficiency Microwave Backscattering Communication Using Under-Saturated PIN Diodes for Implantable Devices

	Low-Power High-Efficiency Microwave Backscattering Communication Using Under-Saturated PIN Diodes for Implantable Devices
	Wang X(王旭)1 ; Lin FH(林丰涵)2
	2025
发表期刊	IEEE MICROWAVE AND WIRELESS TECHNOLOGY LETTERS
ISSN	暂无
发表状态	已投递待接收
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/507119
专题	信息科学与技术学院_硕士生信息科学与技术学院_PI研究组_林丰涵组
通讯作者	Lin FH(林丰涵)
作者单位	1.上海科技大学 2.上海科技大学
第一作者单位	上海科技大学
通讯作者单位	上海科技大学
第一作者的第一单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang X,Lin FH. Low-Power High-Efficiency Microwave Backscattering Communication Using Under-Saturated PIN Diodes for Implantable Devices[J]. IEEE MICROWAVE AND WIRELESS TECHNOLOGY LETTERS,2025.
APA	Wang X,&Lin FH.(2025).Low-Power High-Efficiency Microwave Backscattering Communication Using Under-Saturated PIN Diodes for Implantable Devices.IEEE MICROWAVE AND WIRELESS TECHNOLOGY LETTERS.
MLA	Wang X,et al."Low-Power High-Efficiency Microwave Backscattering Communication Using Under-Saturated PIN Diodes for Implantable Devices".IEEE MICROWAVE AND WIRELESS TECHNOLOGY LETTERS (2025).