1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications

	1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications
	Wenbo Ye; Junmin Zhou; Han Gao; Haowen Guo; Yitian Gu; Xinbo Zou
	2024-10-17
会议录名称	THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS
发表状态	正式接收
会议名称	The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
会议地点	Busan, Korea
会议日期	October 13-17, 2024
学科门类	工学 ; 工学::电子科学与技术（可授工学、理学学位）
语种	英语
文献类型	会议论文
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/507111
专题	信息科学与技术学院_硕士生信息科学与技术学院_PI研究组_邹新波组信息科学与技术学院_博士生
通讯作者	Xinbo Zou
作者单位	School of Information Science and Technology (SIST), ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China
第一作者单位	信息科学与技术学院
通讯作者单位	信息科学与技术学院
第一作者的第一单位	信息科学与技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	Wenbo Ye,Junmin Zhou,Han Gao,et al. 1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications[C],2024.