异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统
申请号CN202411830712.6
2025-03-21
公开(公告)号CN119663206A
公开日期2025-03-21
摘要本发明异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统,涉及对超导加速腔体内壁溅射镀膜的高能脉冲磁控溅射领域。本发明包括适于装载超导加速腔体的真空机构、设于超导加速腔体内腔中的磁控溅射靶机构和与磁控溅射靶机构连接的驱动机构。本发明实现了环状靶材在超导加速腔体内腔中的升降,从而使等离子体能够在超导加速腔体内腔中指定的区域放电以完成对相应区域的镀膜,同时能够控制负电极电源的功率以及环状靶材的溅射时间来实现均匀镀膜,有利于控制薄膜厚度的均匀性和粘附性;此外,驱动机构具有较大行程的移动范围,能够满足对多cell超导加速腔体蒸镀薄膜的需求。
当前权利人上海科技大学
专利代理人许亦琳 ; 余明伟
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
专利申请人上海科技大学
公开国别中国
公开国别简称CN
IPC 分类号C23C14//35; C23C14//24; C23C14//04
专利有效性审中
专利类型发明申请
专利类型字典1
当前法律状态实质审查
简单同族CN119663206A
扩展同族CN119663206A
INPADOC 同族CN119663206A
文献类型专利
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/500319
专题物质科学与技术学院_博士生
物质科学与技术学院_硕士生
物质科学与技术学院_PI研究组_李军组
作者单位
上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
董鹏,王艳江,赵洋,等. 异型腔内壁蒸镀磁控溅射靶系统. CN202411830712.6[P]. 2025-03-21.
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