ShanghaiTech University Knowledge Management System
| 基于惠斯通全桥结构的隧道磁阻传感器及其制造方法 | |
| 申请号 | CN202411950708.3 |
| 2025-03-21 | |
| 公开（公告）号 | CN119667569A |
| 公开日期 | 2025-03-21 |
| 摘要 | 本发明提出一种基于惠斯通全桥结构的隧道磁阻传感器及其制造方法，隧道磁阻传感器，包括：两个隧道磁阻单元结构，包括：重金属层；磁隧道结，重金属层上沉积形成两个磁隧道结；反铁磁层，沉积于磁隧道结的参考层表面，以固定磁隧道结的钉扎方向；两个隧道磁阻单元结构中的四个磁隧道结的钉扎方向相同，并按照惠斯通全桥结构连接，在重金属层中通入不同方向的电流，通过自旋轨道矩效应偏置磁隧道结中自由层的磁化方向，相邻的两个磁隧道结中自由层的磁化方向在XY平面内关于X轴对称。本发明的磁阻传感器灵敏度较大，线性区间较宽，通过使用自旋轨道矩而非工艺偏置磁化方向，简化了加工工艺，消除了不同工艺产生的误差，提升测量磁场的精确度。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学 |
| 专利代理人 | 王海胜 |
| 代理机构 | 上海汉之律师事务所 31378 |
| 专利申请人 | 上海科技大学 |
| 公开国别 | 中国 |
| 公开国别简称 | CN |
| IPC 分类号 | G01R33//09 |
| 专利有效性 | 审中 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 实质审查 |
| 简单同族 | CN119667569A |
| 扩展同族 | CN119667569A |
| INPADOC 同族 | CN119667569A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/500317 |
| 专题 | 信息科学与技术学院_PI研究组_杨雨梦组 信息科学与技术学院_硕士生 |
| 作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨雨梦,张佳炜. 基于惠斯通全桥结构的隧道磁阻传感器及其制造方法. CN202411950708.3[P]. 2025-03-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [杨雨梦]的文章 |
| [张佳炜]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [杨雨梦]的文章 |
| [张佳炜]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [杨雨梦]的文章 |
| [张佳炜]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
修改评论
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。