Addressing Aging Issues in Heterogeneous Three-Dimensional Integrated Circuits
2019-10
会议录名称2019 IEEE 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ASIC (ASICON)
ISSN2162-7541
页码1-4
发表状态已发表
DOI10.1109/ASICON47005.2019.8983595
摘要

Heterogeneous three-dimensional (3D) integrated technique is a promising method to achieve breakthrough bandwidth between DRAM and CPU in a computer system. However, in such stacked structure, the elevated temperature poses big challenges to the circuit reliability. In this paper, we provide our solutions to three instability effects in the 3D stack: bias temperature instability, time dependent dielectric breakdown and electromigration.

会议地点Chongqing, China
会议日期29 Oct.-1 Nov. 2019
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收录类别EI ; CPCI ; CPCI-S
语种英语
WOS研究方向Engineering ; Telecommunications
WOS类目Engineering, Electrical & Electronic ; Telecommunications
WOS记录号WOS:000541465700165
EI入藏号20201408379160
EI主题词Dielectric materials ; Timing circuits
EI分类号Dielectric Materials:708.1 ; Pulse Circuits:713.4 ; Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2
WOS关键词MODEL
原始文献类型Proceedings Paper
来源库IEEE
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文献类型会议论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/49938
专题信息科学与技术学院_博士生
信息科学与技术学院_PI研究组_周平强组
信息科学与技术学院_硕士生
作者单位
School of Information Science and Technology, ShanghaiTech University,Shanghai,China,201210
第一作者单位信息科学与技术学院
第一作者的第一单位信息科学与技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
Yu Ma,Dingcheng Jia,Wei Gao,et al. Addressing Aging Issues in Heterogeneous Three-Dimensional Integrated Circuits[C],2019:1-4.
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