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Reliable electrical performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diode at cryogenic temperatures
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A: VACUUM, SURFACES AND FILMS, 2024, 卷号: 42, 期号: 2
作者:
Qu, Haolan
;
Huang, Wei
;
Zhang, Yu
;
Sui, Jin
;
Chen, Jiaxiang
Adobe PDF(3333Kb)
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提交时间:2024/02/23
Carrier concentration
Cryogenics
Gallium compounds
Semiconductor metal boundaries
Temperature distribution
Blocking performance
Cryogenic temperatures
Dynamic performance
Electrical performance
Ideality factors
Lows-temperatures
Off state
Schottky characteristics
Temperature dependence
Temperature rise
InGaP/AlGaAs Near-UV and Visible Avalanche Photodiodes for Li-Fi Application
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2024, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 293-296
作者:
Wang, Jingyi
;
Ge, Huachen
;
Liao, Yue
;
Shen, Daqi
;
Li, Linze
Adobe PDF(1532Kb)
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提交时间:2024/04/12
Aluminum
Aluminum gallium arsenide
Avalanche photodiodes
Bandwidth
Gallium
Gallium alloys
Gallium arsenide
Heterojunctions
Semiconductor alloys
Excess noise factor
External quantum efficiency
Light fidelity
Multiplication gain
Near-UV light detection
Radiative recombination
UV and visible light
UV light detection
Visible light bands
near-UV light detection
visible light communications
Single-pixel p-graded-n junction spectrometers
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2024, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 1773
作者:
Wang, Jingyi
;
Pan, Beibei
;
Wang, Zi
;
Zhang, Jiakai
;
Zhou, Zhiqi
Adobe PDF(3769Kb)
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提交时间:2024/04/07
Poling-assisted hydrofluoric acid wet etching of thin-film lithium niobate
期刊论文
OPTICS LETTERS, 2024, 卷号: 49, 期号: 4, 页码: 854-857
作者:
Yu, Simin
;
Kang, Hui
;
Shen, Xiaoqin
;
Xue, Yibo
;
Wan, Wenjie
Adobe PDF(2920Kb)
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2024/03/08
Electric fields
Ferroelectric materials
Ferroelectricity
Hydrofluoric acid
Lithium
Niobium compounds
Wet etching
Domain inversion
Fabrication method
Ferroelectric domains
High-fidelity
Lithium niobate
Microdisks
Niobate layers
Pattern control
Pattern transfers
Thin-films
Low Dark Current HgCdTe Long Wavelength Infrared Photodiodes with Bandgap Gradient Multi-Layer Heterojunction
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99
作者:
Liqi Zhu
;
Tianxiang Wu
;
Zihao Wang
;
Xi Wang
;
Xun Li
Adobe PDF(636Kb)
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提交时间:2024/04/01
Long-wavelength infrared detectors
HgCdTe
heterojunction
dark current
detectivity
Exploiting the Correlation between 1/f Noise-Dark Current in PIN InGaAs Photodetectors
期刊论文
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99
作者:
Chuang Li
;
Hezhuang Liu
;
Jingyi Wang
;
Daqian Guo
;
Baile Chen
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提交时间:2024/04/09
InGaAs photodetector
Dark current
1/f noise
sidewall leakage current
Ultra-Fast Waveguide MUTC Photodiodes Over 220 GHz
期刊论文
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-7
作者:
Linze Li
;
Luyu Wang
;
Tianyu Long
;
Zhouze Zhang
;
Juanjuan Lu
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提交时间:2024/03/29
Photodiodes (PD)
high-speed photodetectors
modified uni-traveling-carrier (MUTC)
THz generation
Strain evolution and confinement effect in InAs/AlAs short-period superlattices studied by Raman spectroscopy
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS;, 2023, 卷号: 13, 期号: 1
作者:
Zhao, Yinan
;
Lu, Kechao
;
Yao, Jinshan
;
Ning, Jiqiang
;
Chen, Baile
Adobe PDF(2013Kb)
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提交时间:2023/03/24
Study on high gain-bandwidth product HgCdTe MWIR electron avalanche photodiodes
期刊论文
INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 135
作者:
Xie, Hao
;
Guo, Huijun
;
Zhu, Liqi
;
Yang, Liao
;
Shen, Chuan
Adobe PDF(3256Kb)
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提交时间:2024/01/19
Avalanche photodiodes
Cadmium alloys
Electric fields
Electrons
II-VI semiconductors
Infrared devices
Infrared radiation
Mercury amalgams
Semiconductor alloys
Depletion region
Electron avalanche photodiode
Electron multiplication
Gain-bandwidth products
High gain
Higher speed applications
Low flux
Low-high
Mid-wavelength infrared
Number of electrons
High-speed InAlAs digital alloy avalanche photodiode
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123, 期号: 19
作者:
Wang, Wenyang
;
Yao, Jinshan
;
Li, Linze
;
Ge, Huachen
;
Wang, Luyu
Adobe PDF(4267Kb)
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提交时间:2023/12/12
Aluminum alloys
Bandwidth
Grading
III-V semiconductors
Indium phosphide
Semiconducting indium phosphide
Semiconductor alloys
1550 nm
Avalanche breakdown
Dark current densities
Digital alloys
Excess noise
Gain-bandwidth products
High Speed
InP substrates
Performance
Random alloy