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Controllable magnetism and an anomalous Hall effect in (Bi
1-
x
Sb
x
)
2
Te
3
-intercalated MnBi
2
Te
4
multilayers
期刊论文
NANOSCALE, 2025, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 6562-6569
作者:
Chen, Peng
;
Liu, Jieyi
;
Zhang, Yifan
;
Huang, Puyang
;
Bollard, Jack
Adobe PDF(2091Kb)
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浏览/下载:53/2
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提交时间:2025/03/03
Antiferromagnetic materials - Antiferromagnetism - Bismuth compounds - Ferromagnetic materials - III-V semiconductors - Nanocrystals - Quantum Hall effect - Topological insulators
Anomalous hall effects - Electrical characterization - Insertion layers - Magnetic characterization - Magnetic interlayers - Magneto-transport response - Molecular-beam epitaxy - Property - Spacer layer - Topological insulators
Local Detection of Enhanced Hot Electron Scattering in InSb/CdTe Heterostructure Interface
预印本
2025
作者:
Ma, Xiaoxiao
;
Zhi, Zhenghang
;
Deng, Weijie
;
Li, Tianxin
;
Weng, Qianchun
Adobe PDF(531Kb)
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浏览/下载:40/1
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提交时间:2025/03/10
Tunable interfacial Rashba spin-orbit coupling in asymmetric Al
x
In
1-x
Sb/InSb/CdTe quantum well heterostructures
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2025, 卷号: 126, 期号: 1
作者:
Ruan, Hanzhi
;
Zhi, Zhenghang
;
Wu, Yuyang
;
Liu, Jiuming
;
Huang, Puyang
Adobe PDF(1233Kb)
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浏览/下载:374/3
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提交时间:2024/09/02
Tunable interfacial Rashba spin-orbit coupling in asymmetric AlxIn1−xSb/InSb/CdTe quantum well heterostructures
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2025, 卷号: 126, 期号: 1
作者:
Zhi, Zhenghang
;
Wu, Yuyang
;
Ruan, Hanzhi
;
Liu, Jiuming
;
Huang, Puyang
Adobe PDF(2896Kb)
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浏览/下载:83/4
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提交时间:2025/02/12
Cadmium alloys
Cadmium telluride
Gallium phosphide
Heterodyning
Heterojunctions
Indium phosphide
Narrow band gap semiconductors
Selenium compounds
Semiconducting aluminum compounds
Semiconducting antimony compounds
Semiconducting cadmium compounds
Semiconducting gallium compounds
Semiconducting indium phosphide
Semiconductor quantum wells
Silicon compounds
Spin orbit coupling
Spintronics
Band bendings
CdTe
Molecular-beam epitaxy
Quantum confinement effects
Quantum-well heterostructure
Rashba spin-orbit coupling
Rashba-type spin-orbit
Spin-orbit couplings
Tunables
Two-dimensional
A Wide-Temperature-Range 4th-harmonic Noise Cancellation 6.8-7.6GHz VCO with 206dBc/Hz (4.2K) and 195dBc/Hz (298K) FoM
会议论文
2025 IEEE EUROPEAN SOLID-STATE ELECTRONICS RESEARCH CONFERENCE (ESSERC)
作者:
Hu, Yongqi
;
Huang, Jue
;
Ning, Chenkang
;
He, Chang
;
Xin, Yue
Adobe PDF(5812Kb)
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浏览/下载:25/5
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提交时间:2025/03/31
A Fractional-N Cascaded PLL Employing the Calibration-free Noiseand-Spur Cancellation Technique
会议论文
2025 IEEE CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE(CICC)
作者:
Hu, Yongqi
;
Huang, Jue
;
Ning, Chenkang
;
Yuan, Yumeng
;
Xu, Hao
Adobe PDF(7591Kb)
|
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浏览/下载:28/5
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提交时间:2025/03/31
A Calibration-Free Fractional-N Cascaded PLL with Over-Sampling Noise-and-Spur Cancellation
期刊论文
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 2025
作者:
Hu, Yongqi
;
Huang, Jue
;
Ning, Chenkang
;
Yuan, Yumeng
;
Xu, Hao
Adobe PDF(3020Kb)
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浏览/下载:16/2
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提交时间:2025/03/31
Generic Cryogenic CMOS Device Modeling and EDA-Compatible Platform for Reliable Cryogenic IC Design
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2025, 卷号: 13, 页码: 117-127
作者:
Adobe PDF(10435Kb)
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浏览/下载:51/1
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提交时间:2025/03/03
Cryogenic equipment - Integrated circuit design - Integrated circuit manufacture - MIS devices - MOSFET devices - Printed circuit design - Static random access storage
Circuit designs - CMOS devices - Compact model - Cryogenic circuit design - Cryogenic device physic - Device physics - Monte Carlo's simulation - Process design kit - Temperature dependent - Temperature-dependent compact model
一种MOSFET器件的特性仿真方法及仿真系统
专利
申请号:CN202411163604.8,申请日期: 2024-12-27,类型:发明申请,状态:实质审查
发明人:
寇煦丰
;
辛玥
;
王泽伟
;
唐志东
;
何畅
Adobe PDF(989Kb)
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浏览/下载:117/1
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提交时间:2024/12/27
一种建立低温CMOS集约模型的方法
专利
申请号:CN202411249778.6,申请日期: 2024-12-27,类型:发明申请,状态:实质审查
发明人:
寇煦丰
;
何畅
;
王泽伟
;
唐志东
Adobe PDF(922Kb)
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浏览/下载:106/1
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提交时间:2024/12/27
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