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| 一种超导薄膜器件及其制备方法 | |
| 申请号 | CN202410698990.4 |
| 2024-08-16 | |
| 公开（公告）号 | CN118510377A |
| 公开日期 | 2024-08-16 |
| 摘要 | 本发明涉及光刻领域，特别涉及一种超导薄膜器件及其制备方法。所述超导薄膜器件包括晶圆衬底、设于所述晶圆衬底上的超导薄膜图案层和非磁性金属图案层；所述超导薄膜图案层包括两条相互平行的第一平行条带部和位于二者之间的若干第一垂直条带部；所述非磁性金属图案层全部或部分位于所述超导薄膜图案层上；位于所述超导薄膜图案层上的所述非磁性金属图案层具有镂空结构，其包括第一镂空结构和第二镂空结构。所述第一镂空结构和所述第二镂空结构均呈条带状且呈连续的几字形结构，二者之间呈叉指结构设置。制备上述器件时，套刻精度要求可以为100～1000nm，且不影响其性能，在光刻机选型和微纳加工上具有普适性，极大的提高器件研发的良率。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学 |
| 专利代理人 | 高燕 ; 许亦琳 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 |
| 专利申请人 | 上海科技大学 |
| 公开国别 | 中国 |
| 公开国别简称 | CN |
| IPC 分类号 | H10N60//83; H10N60//85; H10N60//01 |
| 专利有效性 | 审中 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 实质审查 |
| 简单同族 | CN118510377A |
| 扩展同族 | CN118510377A |
| INPADOC 同族 | CN118510377A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/408383 |
| 专题 | 材料器件中心 物质科学与技术学院_特聘教授组_陆卫组 |
| 作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋艳汝,彭鹏飞,闫晓密,等. 一种超导薄膜器件及其制备方法. CN202410698990.4[P]. 2024-08-16. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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