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| 球磨制备硼/磷掺杂Si80Ge20材料及其热电性能 | |
| 其他题名 | Synthesis of B/P Doped Si80Ge20 Materials by Ball Milling and Their Thermoelectric Properties |
| 2024-05-25 | |
| 发表期刊 | 材料导报 |
| ISSN | 1005-023X |
| 卷号 | 38期号:S1页码:362-366 |
| 发表状态 | 已发表 |
| 摘要 | 作为最重要的高温热电材料之一，SiGe合金的制备和性能优化一直备受关注。本工作利用机械合金化结合放电等离子烧结技术成功制备了B和P掺杂的Si80Ge20合金，并利用X射线衍射技术、电子扫描显微镜结合能谱仪技术对样品的物相进行分析表征，重点研究了B和P掺杂对Si80Ge20合金的电热输运性能影响。研究表明，B和P掺杂可有效优化材料载流子浓度，提升材料的电学性能；B掺杂能有效增强声子散射降低材料晶格热导率，因为电学性能的提升和热导率的降低，在1 000 K时，Si80Ge20+2.0vol%B样品的zT值约达到1.01;不同含量P掺杂样品的zT值在整个测试温度范围内基本维持不变，在1 000 K时，Si80Ge20+2.0vol%P样品的zT值约为1.16。 |
| 关键词 | 硅锗合金 热电材料 晶格热导 机械合金化 |
| URL | 查看原文 |
| 收录类别 | EI ; 中国科技核心期刊 ; CSCD ; 北大核心 |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 来源库 | CNKI |
| 中图分类号 | TB34 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/407312 |
| 专题 | 物质科学与技术学院 物质科学与技术学院_硕士生 |
| 通讯作者 | 宋庆峰 |
| 作者单位 | 1.上海科技大学物质科学与技术学院; 2.中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 3.中国科学院大学材料科学与光电技术学院 |
| 第一作者单位 | 物质科学与技术学院 |
| 第一作者的第一单位 | 物质科学与技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈啸,宋庆峰,柏胜强. 球磨制备硼/磷掺杂Si80Ge20材料及其热电性能[J]. 材料导报,2024,38(S1):362-366. |
| APA | 陈啸,宋庆峰,&柏胜强.(2024).球磨制备硼/磷掺杂Si80Ge20材料及其热电性能.材料导报,38(S1),362-366. |
| MLA | 陈啸,et al."球磨制备硼/磷掺杂Si80Ge20材料及其热电性能".材料导报 38.S1(2024):362-366. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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