基于AlGaN/GaN HEMT外差探测器的太赫兹线阵列矢量探测系统

	基于AlGaN/GaN HEMT外差探测器的太赫兹线阵列矢量探测系统
	王凯出 1,2; 丁青峰2,3 ; 周奇 2,4; 蔡昕航 2,4; 张金峰 2; 朱凯强 5; 翟振钧 5; 孙厚军 5; 王林军 1; 秦华 2
	2024-04-25
发表期刊	红外与激光工程
ISSN	1007-2276
卷号	53 期号:06 页码:175-184
发表状态	已发表
摘要	为了研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)外差探测器应用于太赫兹来波方向(Direction of Arrival, DOA)估计领域的可行性及量化性能指标，基于AlGaN/GaN HEMT 243GHz外差探测器搭建了太赫兹波线阵列矢量探测系统，实现了太赫兹连续波的相位分布和来波方向的测量。该系统的核心器件为准光-波导耦合的太赫兹外差探测器线阵列组件，阵元平均噪声等效功率(Noise-Equivalent-Power, NEP)为-123.89dBm/Hz。通过测试，表明该系统相位解析稳定度优于0.6°，线阵列组件法线(阵列芯片的垂线)方向左右11°以内的太赫兹来波方向的检测误差小于0.25°。讨论了存在误差的原因及可能的解决方案，为后续基于AlGaN/GaN HEMT面阵列的太赫兹相控阵雷达及定向通信系统的研制提供了基础。
关键词	太赫兹来波方向(DOA)估计阵列混频器外差(相干)探测氮化镓HEMT
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收录类别	CSCD ; 北大核心
语种	中文
原始文献类型	学术期刊
来源库	CNKI
中图分类号	TN386
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/407291
专题	物质科学与技术学院物质科学与技术学院_博士生
通讯作者	秦华
作者单位	1.上海大学材料科学与工程学院; 2.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国科学院纳米器件与应用重点实验室; 3.上海科技大学物质科学与技术学院; 4.中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院; 5.北京理工大学集成电路与电子学院
推荐引用方式 GB/T 7714	王凯出,丁青峰,周奇,等. 基于AlGaN/GaN HEMT外差探测器的太赫兹线阵列矢量探测系统[J]. 红外与激光工程,2024,53(06):175-184.
APA	王凯出.,丁青峰.,周奇.,蔡昕航.,张金峰.,...&秦华.(2024).基于AlGaN/GaN HEMT外差探测器的太赫兹线阵列矢量探测系统.红外与激光工程,53(06),175-184.
MLA	王凯出,et al."基于AlGaN/GaN HEMT外差探测器的太赫兹线阵列矢量探测系统".红外与激光工程 53.06(2024):175-184.