太赫兹波段宽带减反结构的设计与优化
2024-04
发表期刊半导体光电
ISSN1001-5868
发表状态正式接收
摘要

在太赫兹波段,高阻硅和蓝宝石因具备低吸收率、高电阻率和低光谱色散特性常被用作探测器衬底。然而,材料的高折射率特性会导致入射的大部分太赫兹波在界面反射,降低了波的透过率,也会引发法布里-珀罗谐振腔效应,从而限制太赫兹探测器的工作带宽和灵敏度。为了减少太赫兹波在界面的反射,本文提出了一种三层减反射结构。通过MATLAB中传输矩阵法 (TMM) 和电磁场仿真中时域有限差分法 (FDTD) 分析,最终选择Mylar/Al2O3/AlN作为太赫兹波段的减反射结构。仿真结果表明,该结构在275 ~ 405 GHz范围内反射率均低于-20 dB,当应用于太赫兹探测器时,340 GHz下-3 dB带宽提升了50 GHz以上,响应度提高了3.2倍。此外,该结构制备简单、成本较低,为太赫兹波段的宽带减反提供了经济有效的解决方法。

关键词太赫兹波 太赫兹探测器 干涉相消 减反膜
收录类别北大核心
语种中文
中图分类号TN386
文献类型期刊论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/364628
专题物质科学与技术学院
通讯作者秦华
作者单位
1.上海科技大学物质科学与技术学院
2.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 中国科学院纳米器件与应用重点实验室
第一作者单位物质科学与技术学院
第一作者的第一单位物质科学与技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
孙淑菲,靳琳,孙建东,等. 太赫兹波段宽带减反结构的设计与优化[J]. 半导体光电,2024.
APA 孙淑菲,靳琳,孙建东,&秦华.(2024).太赫兹波段宽带减反结构的设计与优化.半导体光电.
MLA 孙淑菲,et al."太赫兹波段宽带减反结构的设计与优化".半导体光电 (2024).
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