| |||||||
ShanghaiTech University Knowledge Management System
| 一种小基片衬底的双面对准方法 | |
| 申请号 | CN202311481175.4 |
| 2024-01-09 | |
| 公开（公告）号 | CN117369229A |
| 公开日期 | 2024-01-09 |
| 摘要 | 本发明一种小基片衬底的双面对准方法，涉及光刻领域。对准方法包括如下步骤，1)在晶圆衬底上绘制多个坐标系对准标记并记录于集合S，2)继续绘制多个正面切割标记并记录于集合T，3)在小基片衬底上绘制多个小基片正面对准标记并记录于集合P，4)翻转晶圆衬底，重新读取坐标系对准标记并记录于集合X，5)光刻机自动调整，消除集合X中的偏移，6)在光刻机中输入集合T，绘制多个背面切割标记，7)在光刻机中输入集合P，绘制多个小基片背面对准标记。经过上述步骤之后，在小基片衬底正面和背面的相同位置，绘制了小基片正面对准标记和小基片背面标记，实现了在小基片衬底正面和背面的相同位置绘制图形。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学 |
| 专利代理人 | 许亦琳 ; 余明伟 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 |
| 专利申请人 | 上海科技大学 |
| 公开国别 | 中国 |
| 公开国别简称 | CN |
| IPC 分类号 | G03F9//00 |
| 专利有效性 | 审中 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 实质审查 |
| 简单同族 | CN117369229A |
| 扩展同族 | CN117369229A |
| INPADOC 同族 | CN117369229A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/348593 |
| 专题 | 材料器件中心 物质科学与技术学院 物质科学与技术学院_特聘教授组_陆卫组 |
| 作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋艳汝,彭鹏飞,王镜喆,等. 一种小基片衬底的双面对准方法. CN202311481175.4[P]. 2024-01-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种小基片衬底的双面对准方法.pdf（1005KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [宋艳汝]的文章 |
| [彭鹏飞]的文章 |
| [王镜喆]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [宋艳汝]的文章 |
| [彭鹏飞]的文章 |
| [王镜喆]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [宋艳汝]的文章 |
| [彭鹏飞]的文章 |
| [王镜喆]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
修改评论
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。