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| 一种基于压力监测的弯晶制备装置及使用方法 | |
| 申请号 | CN202310846554.2 |
| 2023-09-22 | |
| 公开（公告）号 | CN116787621A |
| 公开日期 | 2023-09-22 |
| 摘要 | 本发明涉及X射线光学元件制备技术领域，具体涉及一种基于压力监测的弯晶制备装置及其使用方法。一种基于压力监测的弯晶制备装置，包括下壳体、若干压力传感器、支架、第一基底、第二基底、上壳体和若干压力调节部，所述下壳体内设有空腔，且所述下壳体顶部敞开，所述压力传感器设于所述空腔内，所述支架设于所述传感器远离所述下壳体底部的一侧，所述第一基底、第二基底和上壳体沿着远离所述下壳体的方向依次设于所述支架上，所述上壳体和所述下壳体通过所述压力调节部相连。本发明可以解决弯晶制备过程中，压力大小及压力分布的均匀性无法精确测量和控制的问题。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学 |
| 专利代理人 | 许亦琳 ; 余明伟 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 |
| 专利申请人 | 上海科技大学 |
| 公开国别 | 中国 |
| 公开国别简称 | CN |
| IPC 分类号 | B28D5//00; G01L5//00; B28D7//04; B28D7//00 |
| 专利有效性 | 审中 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 实质审查 |
| 简单同族 | CN116787621A |
| 扩展同族 | CN116787621A |
| INPADOC 同族 | CN116787621A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/329040 |
| 专题 | 大科学中心_公共科研平台_大科学装置建设部 硬x射线自由电子激光装置项目 物质科学与技术学院_硕士生 物质科学与技术学院_PI研究组_叶柏华组 大科学中心_PI研究组_翁祖谦组 |
| 作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 翁祖谦,张凯宇,曾暄琦,等. 一种基于压力监测的弯晶制备装置及使用方法. CN202310846554.2[P]. 2023-09-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种基于压力监测的弯晶制备装置及使用方法（568KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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