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| n型掺杂的二维层状卤氧化铋材料及其制备方法与应用 | |
| 翻译题名 | N-TYPE DOPED TWO-DIMENSIONAL STRATIFIED BISMUTH OXYHALIDE MATERIAL, AND PREPARATION METHOD THEREFOR AND APPLICATION THEREOF |
| 申请号 | WOCN22136325 |
| 2023-06-08 | |
| 公开（公告）号 | WO2023098902A1 |
| 公开日期 | 2023-06-08 |
| 摘要 | 一种n型掺杂的二维层状卤氧化铋材料及其制备方法与应用，属于半导体光电材料技术领域。使用碳原子取代铋原子，对二维层状卤氧化铋材料产生n型掺杂，制得n型掺杂的二维层状卤氧化铋材料，其电阻式器件在紫外光照下的光电效应可明显增强，并且在光载流子密度超过一特定值，即紫外光照强度大于一特定值，发生雪崩式光电流倍增，对其电阻式器件施加一较小工作电压，即可产生如雪崩电流量级的光电流。所述n型掺杂的二维层状卤氧化铋材料是一种探测紫外光的新型光电材料，在紫外光电探测应用市场具有商业应用价值。 |
| 翻译摘要 | An n-type doped two-dimensional stratified bismuth oxyhalide material, and a preparation method therefor and the application thereof, which belong to the technical field of semiconductor photoelectric materials. Bismuth atoms are replaced with carbon atoms, n-type doping is generated on a two-dimensional stratified bismuth oxyhalide material, an n-type doped two-dimensional stratified bismuth oxyhalide material is then prepared, and the photoelectric effect of a resistive device of the material under ultraviolet irradiation can be significantly enhanced; and when a photocarrier density exceeds a specific value, i.e. an ultraviolet irradiation intensity is greater than a specific value, avalanche-type photocurrent multiplication occurs, and when a small operating voltage is applied to the resistive device of the material, a photocurrent such as a photocurrent of an avalanche current magnitude can be generated. The n-type doped two-dimensional stratified bismuth oxyhalide material is a new photoelectric material for detecting ultraviolet light, and has the commercial application value in the application market of ultraviolet photoelectric detection. |
| 当前权利人 | Shanghaitech University |
| 专利代理人 | 上海光华专利事务所(普通合伙) ; J.Z.M.C. Patent And Trademark Law Office (General Partnership) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) ; J.Z.M.C. Patent And Trademark Law Office (General Partnership) |
| 专利申请人 | Shanghaitech University |
| 公开国别 | 世界知识产权组织 |
| 公开国别简称 | WO |
| IPC 分类号 | C30B29//10; C30B29//64; C30B25//18; C30B25//16; H01L31//18 |
| 专利有效性 | PCT-有效期满 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 未进入国家阶段-PCT有效期满 |
| 简单同族 | WO2023098902A1; CN114150379A |
| 扩展同族 | WO2023098902A1; CN114150379A |
| INPADOC 同族 | WO2023098902A1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/306504 |
| 专题 | 物质科学与技术学院_博士生 物质科学与技术学院_PI研究组_王宏达组 物质科学与技术学院_PI研究组_于奕组 物质科学与技术学院_硕士生 大科学中心_PI研究组_翁祖谦组 |
| 作者单位 | Shanghaitech University |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Hongda,Fu Minghui,Hou Binsen,等. n型掺杂的二维层状卤氧化铋材料及其制备方法与应用. WOCN22136325[P]. 2023-06-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| n型掺杂的二维层状卤氧化铋材料及其制备方（3694KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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