具有渐变带隙吸收层结构的单像素探测器微型光谱仪
申请号CN202310344962.8
2023-06-02
公开(公告)号CN116207119A
公开日期2023-06-02
摘要

本发明涉及一种具有渐变带隙吸收层结构的单像素探测器微型光谱仪,从下之上依次包括衬底层、阴极接触层、渐变带隙吸收层、阻挡层、吸收层和阳极接触层,阴极、阳极两个金属电极分别生成在阴极接触层和阳极接触层上。采用渐变带隙的半导体材料作为吸收层,能够随偏压增加逐步拓展光谱吸收范围,从而对入射光谱信息进行特异性编码,配合重建算法高效快速重建出入射光谱;采用体材料作为探测器制备的材料体系,相关工艺成熟且较二维材料等新材料而言其制备更简便,成本更低;其实体部分仅有一个单像素光电探测器,无需冗繁的分光元件与光路即可工作,可以实现极小的尺寸,尺寸可随光刻板任意变化,满足不同需求下的应用场景。

当前权利人上海科技大学
专利代理人翁若莹 ; 徐颖
代理机构上海申汇专利代理有限公司 31001
专利申请人上海科技大学
公开国别CN
公开国别简称CN
IPC 分类号H01L27//146 ; H01L31//0304
专利有效性审中
专利类型发明申请
专利类型字典1
当前法律状态实质审查
简单同族CN116207119A
扩展同族CN116207119A
INPADOC 同族CN116207119A
文献类型专利
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/305098
专题信息科学与技术学院_PI研究组_陈佰乐组
信息科学与技术学院_博士生
作者单位
上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陈佰乐,王景熠. 具有渐变带隙吸收层结构的单像素探测器微型光谱仪. CN202310344962.8[P]. 2023-06-02.
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