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孙兆茹组 帮助

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

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The Atomistic Understanding of the Ice Recrystallization Inhibition Activity of Antifreeze Glycoproteins 期刊论文
CRYSTALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 3
作者:  Yang, Wentao;  Liao, Yucong;  Shi, Qi;  Sun, Zhaoru
Adobe PDF(4524Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：670/452  |  提交时间：2023/04/19
Moire Phonons in Magic-Angle Twisted Bilayer Graphene 期刊论文
NANO LETTERS, 2022
作者:  Liu, Xiaoqian;  Peng, Ran;  Sun, Zhaoru;  Liu, Jianpeng
Adobe PDF(4137Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2022/10/18
On-Surface Synthesis of C144 Hexagonal Coronoid with Zigzag Edges 期刊论文
ACS NANO, 2022
作者:  Zhu, Xujie;  Liu, Yanan;  Pu, Weiwen;  Liu, Fangzi;  Xue, Zhijie
Adobe PDF(3481Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：188/0  |  提交时间：2022/06/22
The Influence of Surface Chemistry on Critical Current Density for Garnet Electrolyte 期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2022
作者:  Chen, Shaojie;  Nie, Zhiwei;  Tian, Feifei;  Nie, Lu;  Wei, Ran
Adobe PDF(2535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：254/3  |  提交时间：2022/03/18
Elastic Properties of High-Symmetry Sb4O6Cage-Molecular Crystal 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS, 2021, 卷号: 12, 期号: 37, 页码: 9011-9019
作者:  Wu, Congcong;  Peng, Jun;  Pu, Weiwen;  Lu, Shengnan;  Zhang, Chao
Adobe PDF(5850Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：287/0  |  提交时间：2021/12/03
APPLICATION OF DIANTIMONY TRIOXIDE MATERIAL AS SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INTER-LAYER OR INTER-METAL DIELECTRIC MATERIAL 专利
申请号:WOCN21097622，申请日期: 2021-06-01，类型:发明申请，状态:未进入国家阶段-PCT有效期满
发明人:  YANG Xianzhong;  PENG Jun;  WU Nan;  WANG Hungta;  LU Shengnan
Adobe PDF(3571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：209/1  |  提交时间：2021/12/13
Inorganic Low k Cage-molecular Crystals 期刊论文
NANO LETTERS, 2021, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 203-208
作者:  Peng, Jun;  Pu, Weiwen;  Lu, Shengnan;  Yang, Xianzhong;  Wu, Congcong
Adobe PDF(4747Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：234/9  |  提交时间：2021/04/01
On-Surface Synthesis of All-cis Standing Phenanthrene Polymers upon Selective C-H Bond Activation 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS, 2020, 卷号: 11, 期号: 13, 页码: 5022-5028
作者:  Du, Qingyang;  Pu, Weiwen;  Sun, Zhaoru;  Yu, Ping
Adobe PDF(5934Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：226/6  |  提交时间：2020/07/30
三氧化二锑材料作为半导体集成电路层间或金属间的介电材料的应用 专利
申请号:CN202010507612.5，申请日期: 2020-06-05，类型:发明申请，状态:授权
发明人:  王宏达;  彭俊;  陆盛楠;  杨先中;  武聪聪
Adobe PDF(2457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：388/0  |  提交时间：2021/12/07