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DC-SQUID串联阵列直流特性研究 | |
其他题名 | Study on the direct current characteristics of DC-SQUID series array |
2021-06-10 | |
发表期刊 | 核技术 |
ISSN | 0253-3219 |
卷号 | 44期号:6页码:47-52 |
发表状态 | 已发表 |
DOI | 10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.060401 |
摘要 | 为更好地研究直流超导量子干涉器件(Direct Current Superconducting Quantum Interference Device,DC-SQUID)串联阵列的直流特性,我们基于约瑟夫森结RSJ(Resistively Shunted Junction)模型建立了适用于DC-SQUID串联阵列的直流关系方程,并通过求解等效福克-普朗克方程,获得了高斯白噪声影响下DC-SQUID串联阵列直流特性的解析表达式.DC-SQUID串联阵列的实测结果验证了本文所提理论公式的正确性.实验结果表明:DC-SQUID串联阵列在低温下具有超高的Fano因子,亟待进一步深入研究. |
关键词 | 超导量子干涉器件 约瑟夫森结 RSJ模型 高斯白噪声 |
URL | 查看原文 |
收录类别 | CSCD ; 北大核心 |
语种 | 中文 |
原始文献类型 | Periodical |
来源库 | WanFang |
中图分类号 | TP212 |
资助机构 | 国家自然科学基金 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/256225 |
专题 | 大科学中心 大科学中心_公共科研平台_大科学装置建设部 大科学中心_公共科研平台_变革性技术研发部 |
作者单位 | 1.中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800; 2.中国科学院大学 北京 100049; 3.上海科技大学大科学中心 上海 201210; 4.中国科学院上海高等研究院 上海 201204; 5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海 200050 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜稣仆,杨瑾屏,张硕,等. DC-SQUID串联阵列直流特性研究[J]. 核技术,2021,44(6):47-52. |
APA | 姜稣仆,杨瑾屏,张硕,任翠兰,怀平,&伍文涛.(2021).DC-SQUID串联阵列直流特性研究.核技术,44(6),47-52. |
MLA | 姜稣仆,et al."DC-SQUID串联阵列直流特性研究".核技术 44.6(2021):47-52. |
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