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| 基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真 | |
| 2018-04-15 | |
| 发表期刊 | 红外与毫米波学报 |
| 卷号 | 37期号:02页码:184-191+199 |
| 摘要 | 采用标准CMOS工艺制备的n~+-p-π-p~+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益为50,在p层的最佳注入剂量为1.82×10~(12)/cm~2,峰值浓度深度为2.1μm左右的最佳工艺条件下,器件的工作电压为73.1 V,过剩噪声因子为4.59,过剩噪声指数在0.34~0.45之间(波长λ=800 nm),优于目前已报道的结果.通过工艺的优化,器件的性能可以得到进一步提高. |
| 关键词 | 标准CMOS工艺 线性APD 掺杂分布 峰值浓度深度 仿真 |
| URL | 查看原文 |
| 收录类别 | 北大核心 ; EI ; SCI ; CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 中图分类号 | TN36 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/255517 |
| 专题 | 信息科学与技术学院_博士生 |
| 作者单位 | 1.中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室; 2.中国科学院大学; 3.上海科技大学信息科学与技术学院 |
| 第一作者单位 | 信息科学与技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鞠国豪,程正喜,陈永平,等. 基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真[J]. 红外与毫米波学报,2018,37(02):184-191+199. |
| APA | 鞠国豪,程正喜,陈永平,&钟燕平.(2018).基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真.红外与毫米波学报,37(02),184-191+199. |
| MLA | 鞠国豪,et al."基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真".红外与毫米波学报 37.02(2018):184-191+199. |
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