SiO2/Si上石墨烯薄膜的化学气相沉积法制备及其性能表征

doi:10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.013

	SiO2/Si上石墨烯薄膜的化学气相沉积法制备及其性能表征
	刘喜锋 1,2; 张鹏博1,2,3 ; 方小红 1; 陈小源1,2,3
	2019-07-19
发表期刊	半导体光电
ISSN	1001-5868
卷号	40 期号:04 页码:513-516+522
发表状态	已发表
DOI	10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.013
摘要	以铜为催化剂,采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和甲烷为碳源的化学气相沉积两步法,在SiO_2/Si衬底上制备了石墨烯薄膜。利用拉曼光谱分析了薄膜的层数和质量,利用光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的尺寸与表面形貌。实验探究了生长时间、氢气流量和气体总压强等工艺参数对石墨烯薄膜层数和质量的影响,最终在优化条件下制得10μm级质量较高的多层石墨烯薄膜。
关键词	石墨烯化学气相沉积 SiO2/Si 铜
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收录类别	北大核心
语种	中文
原始文献类型	学术期刊
中图分类号	TQ127.11;TB383.2
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/255324
专题	物质科学与技术学院物质科学与技术学院_特聘教授组_陈小源组物质科学与技术学院_博士生
作者单位	1.中国科学院上海高等研究院薄膜光电工程技术研究中心; 2.中国科学院大学; 3.上海科技大学物质科学与技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘喜锋,张鹏博,方小红,等. SiO2/Si上石墨烯薄膜的化学气相沉积法制备及其性能表征[J]. 半导体光电,2019,40(04):513-516+522.
APA	刘喜锋,张鹏博,方小红,&陈小源.(2019).SiO2/Si上石墨烯薄膜的化学气相沉积法制备及其性能表征.半导体光电,40(04),513-516+522.
MLA	刘喜锋,et al."SiO2/Si上石墨烯薄膜的化学气相沉积法制备及其性能表征".半导体光电 40.04(2019):513-516+522.