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| 应力调控单层MoSe2的光致发光光谱特性 | |
| 2020-04-07 | |
| 发表期刊 | 光子学报 |
| ISSN | none |
| 卷号 | 49期号:06页码:171-178 |
| 发表状态 | 已发表 |
| 摘要 | 为了探究二维材料在片上可调有源光学器件领域的应用潜力,通过干法转印将由机械剥离法得到的高品质单层二硒化钼转移到正面涂有150nm厚聚甲基丙烯酸甲酯的双轴压电陶瓷上,制作出可应力调控发光性质的单层二硒化钼光源.对双轴压电陶瓷施加驱动电压,使电信号转化为应力信号,观察低温下(～5K)二硒化钼光致发光光谱中本征激子态、带电激子态信号峰随应力变化的规律.结果表明:在应力由拉伸应力转变为压应力并逐渐增大的过程中,本征激子态、带电激子态信号峰分别出现了～3.8meV、～3.7meV的波长蓝移.增大压应力、拉伸应力都会导致本征激子态、带电激子态信号峰光强线性降低.同时,与泵浦光圆极化相关的圆偏振度也随应力变化表现出规律性改变.此项研究证明了应力调控与单层二硒化钼光学性质之间的紧密关系,为开发各类基于二维材料的片上可调有源光学器件提供支持. |
| 关键词 | 纳米材料 光电器件 光致发光 二硒化钼 激子 带电激子 压电陶瓷 应力调控 |
| URL | 查看原文 |
| 收录类别 | EI ; CSCD ; 北大核心 |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 中图分类号 | O433.4;TQ136.12 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/255262 |
| 专题 | 物质科学与技术学院_硕士生 物质科学与技术学院_博士生 |
| 作者单位 | 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 2.中国科学院大学; 3.中国科学院大学材料与光电研究中心 4.上海科技大学物质科学与技术学院 |
| 第一作者单位 | 物质科学与技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖涵,佘小娟,陶略,等. 应力调控单层MoSe2的光致发光光谱特性[J]. 光子学报,2020,49(06):171-178. |
| APA | 廖涵.,佘小娟.,陶略.,李杨.,张加祥.,...&刘志.(2020).应力调控单层MoSe2的光致发光光谱特性.光子学报,49(06),171-178. |
| MLA | 廖涵,et al."应力调控单层MoSe2的光致发光光谱特性".光子学报 49.06(2020):171-178. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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