利用相变存储器不对称性的写入优化方法

doi:10.3778/j.issn.1002-8331.2006-0321

	利用相变存储器不对称性的写入优化方法
其他题名	Solution to Optimize PCM Write Depending on Asymmetries
	张格毅1,2,3 ; 陈小刚 1; 郭继鹏 1,3; 宋志棠 1; 陈邦明1,2,3
	2021-02-24
发表期刊	计算机工程与应用
ISSN	1002-8331
卷号	57 期号:14 页码:75-82
DOI	10.3778/j.issn.1002-8331.2006-0321
摘要	相变存储器具有集成度高、功耗低、非易失等优良特性,是作为非易失性内存最有潜力的存储介质之一。如何降低其写入延时和增加其使用寿命,是PCM作为非易失性内存时亟需解决的问题。为此,提出利用相变存储器擦除和写入时间不对称的特点擦写独立的写入方法,RSIW(Reset and Set Independently Write)。该方法不同于传统的写入方案,将写和擦的操作分离,让慢速的写操作在空闲时进行,使得相变存储器的写入速度获得显著提升。同时,RSIW还能结合磨损均衡的策略,有效地均衡各个块的写入频率。对擦写独立的写入方法和实施细节进行了描述,对比了同类使用相变存储器擦写不对称性进行优化的方案,最后使用gem5仿真器进行了实验,根据实验结果,该方法对比同类的技术能将系统的运行效率提高37.1%～69.1%。
关键词	相变存储器擦写不对称性磨损均衡写入延时
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收录类别	北大核心 ; CSCD
语种	中文
原始文献类型	学术期刊
来源库	WanFang
中图分类号	TP333
资助机构	上海市扬帆计划 ; 国家重点研发计划 ; 国家自然科学基金 ; 上海市科学技术委员会
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/255155
专题	信息科学与技术学院_硕士生信息科学与技术学院_特聘教授组_陈邦明组
作者单位	1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室; 2.上海科技大学信息科学与技术学院; 3.中国科学院大学
第一作者单位	信息科学与技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	张格毅,陈小刚,郭继鹏,等. 利用相变存储器不对称性的写入优化方法[J]. 计算机工程与应用,2021,57(14):75-82.
APA	张格毅,陈小刚,郭继鹏,宋志棠,&陈邦明.(2021).利用相变存储器不对称性的写入优化方法.计算机工程与应用,57(14),75-82.
MLA	张格毅,et al."利用相变存储器不对称性的写入优化方法".计算机工程与应用 57.14(2021):75-82.