液氮制冷的AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器阵列特性研究

doi:-

	液氮制冷的AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器阵列特性研究
	吴昊1,2,3 ; 朱一帆 1,3,4; 丁青峰1,2,3 ; 张金峰 1,3; 上官阳 1,3; 孙建东 1,3; 秦华1,2,3
	2023-03
发表期刊	红外与激光工程
ISSN	1007-2276
卷号	52 期号:3
发表状态	正式接收
DOI	-
摘要	为充分发挥AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 (High Electron Mobility Transistor, HEMT)太赫兹探测器阵列的高电子迁移率优势，本文研究HEMT太赫兹探测器阵列在77 K下的探测特性。使用液氮杜瓦为降温主体搭建了适用于焦平面 (Focal-plane Array, FPA)芯片的低温系统，实现了对焦平面芯片常温与低温下的对比测试。温度从300 K降到77 K时，探测器阵列像元的平均响应度提高近4倍，平均噪声有小幅增大，340 GHz时平均噪声等效功率 (Noise Equivalent Power, NEP)从45.1 pW/Hz1/2降低到了19.4 pW/Hz1/2，灵敏度提高两倍以上。与透镜耦合的单元探测器相比，阵列像元的灵敏度提升仍有较大空间。主要是由于各像素点最佳工作电压的不一致，导致在给定统一工作电压下像元间的响应度、噪声与噪声等效功率都表现出较大的离散性。后续针对最佳工作电压不一致的问题进行具体分析。
关键词	太赫兹探测器低温焦平面成像芯片氮化镓HEMT
收录类别	EI ; 北大核心 ; CSCD
语种	中文
来源库	CNKI
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/180913
专题	物质科学与技术学院物质科学与技术学院_特聘教授组_秦华组物质科学与技术学院_硕士生物质科学与技术学院_博士生
通讯作者	秦华
作者单位	1.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室，江苏苏州 215123 2.上海科技大学物质科学与技术学院，上海 201210 3.江苏省纳米器件重点实验室，江苏苏州 215123 4.中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院，安徽合肥 230026
第一作者单位	物质科学与技术学院
通讯作者单位	物质科学与技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	吴昊,朱一帆,丁青峰,等. 液氮制冷的AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器阵列特性研究[J]. 红外与激光工程,2023,52(3).
APA	吴昊.,朱一帆.,丁青峰.,张金峰.,上官阳.,...&秦华.(2023).液氮制冷的AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器阵列特性研究.红外与激光工程,52(3).
MLA	吴昊,et al."液氮制冷的AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器阵列特性研究".红外与激光工程 52.3(2023).