Narrow-Band Semiconductor Heterostructures for Efficient Spintronic Memory Device Applications

doi:10.1109/IEDM19574.2021.9720593

	Narrow-Band Semiconductor Heterostructures for Efficient Spintronic Memory Device Applications
	Xue Fenghua1,3,4 ; Zhang Yong1,3,4 ; Zhang Yu 2; Liao Liyang 1; Li Lun1,3,4 ; Ruan Hanzhi1,3,4 ; Sun Lu1 ; Dong Jing 2; Tang Chenjia1 ; Yu Guoqiang 2; Yang Yumeng1 ; Kou Xufeng1
	2021-12
会议录名称	IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING
ISSN	0163-1918
发表状态	已发表
DOI	10.1109/IEDM19574.2021.9720593
摘要	We report a new III-V/II-VI semiconductor-based heterostructure system, InSb/CdTe, for low-power spintronic memory device applications. Owning to the strong built-in electric field at the lattice-matched hetero-interface, the giant Rashba spin-orbit coupling with the highly-tunable coefficient (alpha(R) = 0.4 similar to 0.7 eV.angstrom) is induced to polarize the spin current. Moreover, the spin-orbit torque (SOT) efficiency of the InSb/CdTe system (xi(SOT)similar to 1) is found to be three times larger than conventional heavy-metal materials, which in turn enables the energy-efficient SOT-driven magnetization switching with an ultra-low threshold current density of 4 x 10(9) A/m(2) at room temperature.
会议名称	IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
出版地	345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
会议地点	null,San Francisco,CA
会议日期	DEC 11-16, 2021
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收录类别	SCI ; CPCI ; EI ; CPCI-S
语种	英语
资助项目	National Key R&D Program of China[2017YFA0305400] ; NSFC Program[61874172] ; Shanghai Rising-Star Program[21QA1406000]
WOS研究方向	Engineering
WOS类目	Engineering, Electrical & Electronic
来源库	IEEE
引用统计	正在获取...
文献类型	会议论文
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/178471
专题	信息科学与技术学院_硕士生信息科学与技术学院_公共科研平台_机电能源与电子器件科研平台信息科学与技术学院_PI研究组_寇煦丰组信息科学与技术学院_博士生物质科学与技术学院_公共科研平台_拓扑物理实验室信息科学与技术学院_PI研究组_杨雨梦组
共同第一作者	Zhang Yong
通讯作者	Yu Guoqiang; Yang Yumeng; Kou Xufeng
作者单位	1.ShanghaiTech University, Shanghai, China 2.Institute of Physics, Beijing, China 3.University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China 4.Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Shanghai, China
第一作者单位	上海科技大学
通讯作者单位	上海科技大学
第一作者的第一单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Xue Fenghua,Zhang Yong,Zhang Yu,et al. Narrow-Band Semiconductor Heterostructures for Efficient Spintronic Memory Device Applications[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA,2021.