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	Composition measurement of fully-strained epitaxial InxGa1-xAsyP1-y/InP layer by temperature dependent X-ray diffraction 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 599 作者: Lin, Si-Wei; Yan, Jin-Yi; Zhao, Xu-Yi; Yu, Wen-Fu; Gong, Qian Adobe PDF(1863Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：85/0 \| 提交时间：2022/11/08 A1. Characterization A1. X-ray diffraction A3. Molecular beam epitaxy B2. Semiconducting III-V materials
	Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs substrate 期刊论文 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 90, 页码: 115-121 作者: Deng, Zhuo; Chen, Baile; Chen, Xiren; Shao, Jun; Gong, Qian Adobe PDF(799Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：380/1 \| 提交时间：2018/04/11 Gallium antimonite Beryllium doping Photoluminescence Threading dislocation Strain
	Relative intensity noise of InAs quantum dot lasers epitaxially grown on Ge 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 23, 页码: 28817-28824 作者: Zhou, Yue-Guang; Zhou, Cheng; Cao, Chun-Fang; Du, Jiang-Bing; Gong, Qian Adobe PDF(2594Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：481/2 \| 提交时间：2017/12/12

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