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专题:龚谦组
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The impact of
P
-type doping level and profile on performance of InAs quantum dot lasers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 136, 期号: 22
作者:
Liu, Ruo-Tao
;
Du, An-Tian
;
Cao, Chun-Fang
;
Yang, Jin
;
Wu, Jian-Chu
Adobe PDF(3215Kb)
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提交时间:2024/12/23
Aluminum arsenide
Continuous wave lasers
Gallium arsenide
Gallium phosphide
Indium antimonides
Indium arsenide
Indium phosphide
Nanocrystals
Photonic integrated circuits
Photonic integration technology
Q switched lasers
Quantum dot lasers
Semiconducting indium phosphide
Semiconductor doping
Semiconductor quantum dots
System-on-chip
Threshold current density
Device performance
Doping levels
Doping profiles
InAs quantum dots
Output power
P-type doping
Performance
Quantum-dot lasers
Slope efficiencies
Threshold-current density
Strain distribution in the active region of InAs-based interband cascade laser
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 135, 期号: 24
作者:
Wu, Jian-Chu
;
Liu, Ruo-Tao
;
Du, An-Tian
;
Wang, Kun
;
Cao, Chun-Fang
Adobe PDF(3538Kb)
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浏览/下载:122/1
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提交时间:2024/07/15
Energy dispersive spectroscopy
III-V semiconductors
Interface states
Strain
Transmission electron microscopy
Active regions
Atomic scale
Energy dispersive X ray spectroscopy
Energy dispersive x-ray spectroscopy
High-angle annular dark fields
Interband cascade laser
Scanning transmission electron microscopes
Strain distributions
Strain-compensated
Time energy
Composition measurement of fully-strained epitaxial InxGa1-xAsyP1-y/InP layer by temperature dependent X-ray diffraction
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 599
作者:
Lin, Si-Wei
;
Yan, Jin-Yi
;
Zhao, Xu-Yi
;
Yu, Wen-Fu
;
Gong, Qian
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提交时间:2022/11/08
A1. Characterization
A1. X-ray diffraction
A3. Molecular beam epitaxy
B2. Semiconducting III-V materials
Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs substrate
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 90, 页码: 115-121
作者:
Deng, Zhuo
;
Chen, Baile
;
Chen, Xiren
;
Shao, Jun
;
Gong, Qian
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提交时间:2018/04/11
Gallium antimonite
Beryllium doping
Photoluminescence
Threading dislocation
Strain
Relative intensity noise of InAs quantum dot lasers epitaxially grown on Ge
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 23, 页码: 28817-28824
作者:
Zhou, Yue-Guang
;
Zhou, Cheng
;
Cao, Chun-Fang
;
Du, Jiang-Bing
;
Gong, Qian
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提交时间:2017/12/12