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邹新波组 帮助

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浏览/检索结果: 共60条，第1-10条 帮助

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Reliable electrical performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diode at cryogenic temperatures 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A: VACUUM, SURFACES AND FILMS, 2024, 卷号: 42, 期号: 2
作者:  Qu, Haolan;  Huang, Wei;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Chen, Jiaxiang
Adobe PDF(3333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2024/02/23
Relaxation kinetics of interface states and bulk traps in atomic layer deposited ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 135, 期号: 8
作者:  Chen, Jiaxiang;  Qu, Haolan;  Sui, Jin;  Lu, Xing;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(3256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：34/5  |  提交时间：2024/03/22
Radiation effects of high-fluence reactor neutron on Ni/β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 124, 期号: 1
作者:  Zhou, Leidang;  Chen, Hao;  Xu, Tongling;  Ruan, Jinlu;  Lai, Yuru
Adobe PDF(1Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2024/03/04
Trap Characterization Techniques for GaN-Based HEMTs: A Critical Review 期刊论文
MICROMACHINES, 2023, 卷号: 14, 期号: 11
作者:  Zou, Xiazhi;  Jiayi Yang;  Qifeng Qiao;  Xinbo Zou;  Chen JX(陈嘉祥)
Adobe PDF(3884Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：55/1  |  提交时间：2023/11/20
High-Speed Photodetector With Simultaneous Electrical Power Generation 期刊论文
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 662-670
作者:  Wang, Luyu;  Xie, Zhiyang;  Pan, Beibei;  Zhou, Zhiqi;  Li, Linze
Adobe PDF(6994Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：155/2  |  提交时间：2023/02/24
Pulsed X-Ray Detector Based on an Unintentionally-Doped High Resistivity ε-Ga₂O₃ Film 期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 卷号: 35, 期号: 2
作者:  Wang, Jing;  Zhou, Leidang;  Lu, Xing;  Chen, Liang;  Chen, Zimin
Adobe PDF(1179Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2023/03/10
High-Performance Machine Vision System by GaN n-i-n Nanowire 会议论文
14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-14)
作者:  Haitao Du;  Xu Zhang;  Qifeng Lyu;  Kei May Lau;  Xinbo Zou
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2023/11/20
RF p-GaN HEMT with 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 9, 页码: 1412-1415
作者:  Junmin Zhou;  Haowen Guo;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu
Adobe PDF(1317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：218/1  |  提交时间：2023/07/28
Investigation of a minority carrier trap in a NiO/β-Ga2O3p–n heterojunction via deep-level transient spectroscopy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 105010
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Zhang, Ruohan
Adobe PDF(999Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2023/09/23
Neutron Irradiation Induced Carrier Removal and Deep-Level Traps in N-Gan Schottky Barrier Diodes 会议论文
CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC 2023), Shanghai, China, 26-27 June 2023
作者:  Jin Sui;  Jiaxiang Chen;  Haolan Qu;  Ruohan Zhang;  Min Zhu
Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2023/09/23