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研究单元&专题
信息科学与技术学院 [2]
作者
王亮兴 [2]
文献类型
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [1]
2019 [1]
出处
MATERIALS ... [2]
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英语 [2]
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Shanghai M... [2]
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WOS被引频次升序
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Effect of post-deposition annealing on atomic layer deposited SiO2 film for silicon surface passivation
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 卷号: 106
作者:
Li, Shizheng
;
Xu, Jiahui
;
Wang, Liangxing
;
Yang, Ning
;
Ye, Xiaojun
Adobe PDF(1189Kb)
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提交时间:2019/11/22
Atomic layer deposition
Silicon dioxide
Surface passivation
Positive fixed charge
Plasma-induced damage and annealing repairing in ALD-Al2O3/PECVD-SiNx stacks
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 卷号: 100, 页码: 214-219
作者:
Li, Shizheng
;
Yang, Ning
;
Yuan, Xiao
;
ye, Xiaojun
;
Wang, Liangxing
Adobe PDF(2081Kb)
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浏览/下载:429/11
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提交时间:2019/07/01
Silicon passivation
Atomic layer deposition
Al2O3
Interface defect density
Plasma-enhanced chemical vapor deposition
Solar cells