三氧化二锑材料作为半导体集成电路层间或金属间的介电材料的应用

	三氧化二锑材料作为半导体集成电路层间或金属间的介电材料的应用
申请号	CN202010507612.5
	2020-06-05
公开（公告）号	CN113764380A
公开日期	2021-12-07
摘要	本发明涉及集成电路技术领域、纳米材料技术领域和微电子领域，尤其是三氧化二锑作为半导体集成电路层间或金属间的介电材料的新用途。所述三氧化二锑材料为一种分子晶体，是由Sb4O6笼状分子通过范德华力连接形成的二维或三维结构。该材料为α相三氧化二锑，具备(1)介电常数1.8～2.5；(2)带隙Eg～5.6eV；(3)常压下耐550℃高温；(4)超高电击穿强度EB为1.4～2.5MV//cm。这是一种尚未被发现、尚未被开发的新型低介电常数材料，可用于半导体集成电路层间或金属间的介电材料，具有重大商业潜力和价值。
当前权利人	上海科技大学
专利代理人	沈攀攀 ; 许亦琳
代理机构	上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
专利申请人	上海科技大学
	王宏达; 彭俊; 陆盛楠; 杨先中; 武聪聪; 吴楠; 孙兆茹
公开国别	中国
公开国别简称	CN
IPC 分类号	H01L23//532; H01L21//02
专利有效性	有效
专利类型	发明申请
专利类型字典	1
当前法律状态	授权
授权公告日	2024-05-24
授权公开（公告）号	CN113764380B
简单同族	CN113764380A
扩展同族	CN113764380A
INPADOC 同族	CN113764380A
文献类型	专利
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/134131
专题	物质科学与技术学院_PI研究组_王宏达组物质科学与技术学院_公共科研平台_软纳米材料制备平台物质科学与技术学院_硕士生物质科学与技术学院_博士生物质科学与技术学院_PI研究组_孙兆茹组
作者单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王宏达,彭俊,陆盛楠,等. 三氧化二锑材料作为半导体集成电路层间或金属间的介电材料的应用. CN202010507612.5[P]. 2020-06-05.