LOW-POWER SRAM MEMORY CELL AND APPLICATION STRUCTURE THEREOF

	LOW-POWER SRAM MEMORY CELL AND APPLICATION STRUCTURE THEREOF
翻译题名	低功率SRAM存储单元及其应用结构
申请号	US17051783
	2020-06-17
公开（公告）号	US20210249069A1
公开日期	2021-08-12
摘要	A low-power SRAM memory cell includes five word lines and four bit lines. The five word lines are a first word line, a second word line, a third word line, a fourth word line and a fifth word line. The four bit lines are a first bit line, a second bit line, a third bit line, and a fourth bit line. During the operation process of calculating a binary 10×11, the first word line is 1, the second word line is 0, the third word line is 0, the fourth word line is 1, the high bit stored in the bit cell is 1, and the low bit is 1. The voltage value of the fifth word line is 0.73 volt. At this time, the first bit line, the second bit line, and the third bit line do not discharge, while the fourth bit line discharges.
翻译摘要	一种低功率SRAM存储单元包括五条字线和四条位线。所述五条字线为第一字线，第二字线，第三字线，第四字线和第五字线。四条位线是第一位线，第二位线，第三位线和第四位线。在计算二进制10×11的运算过程中，第一字线为1，第二字线为0，第三字线为0，第四字线为1，存储在位单元中的高位为1，低位为1。第五字线的电压值为0.73伏。此时，第一位线，第二位线和第三位线不放电，而第四位线放电。
当前权利人	SHANGHAITECH UNIVERSITY
专利申请人	SHANGHAITECH UNIVERSITY
	Yuqi WANG; Yajun HA
公开国别	美国
公开国别简称	US
IPC 分类号	G11C11//412; G11C11//419; H01L27//11
CPC分类号	G11C11//412; H01L27//1104; G11C11//419
专利有效性	有效
专利类型	发明申请
专利类型字典	1
当前法律状态	授权
授权公告日	2021-08-24
授权公开（公告）号	US11100979B1
简单同族	CN110970071A; US20210249069A1; WO2021057114A1
扩展同族	CN110970071A; US20210249069A1; WO2021057114A1
INPADOC 同族	US20210249069A1
文献类型	专利
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/127811
专题	信息科学与技术学院_硕士生信息科学与技术学院_PI研究组_哈亚军组
作者单位	SHANGHAITECH UNIVERSITY
推荐引用方式 GB/T 7714	Yuqi WANG, Yajun HA. LOW-POWER SRAM MEMORY CELL AND APPLICATION STRUCTURE THEREOF. US17051783[P]. 2020-06-17.