Optimization of AlN and AlScN Film ICP Etching
2021-01
会议录名称2021 34TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS (MEMS 2021)
ISSN1084-6999
卷号2021-January
页码638-641
发表状态已发表
DOI10.1109/MEMS51782.2021.9375464
摘要

We present the inductively coupled plasma (ICP) etching characteristics of (0002) oriented Aluminum Nitride (AlN) and Aluminum Scandium Nitride (Al0.94Sc0.06N) piezoelectric thin films and implementation in AlN piezoelectric lamb wave resonators. A profile of 84 degrees with an etching rate of about 230nm/min using Cl-2/BCl3/N-2 mixed gas is achieved at AlN film, and a profile of 77 degrees using same mixed gas is obtained at Al0.94Sc0.06N film. Finally, we demonstrate the fabrication and characteristics of AlN contour mode resonators (CMRs), and report a CMR operating at approximately 400MHz with the quality factor exceeding 1600.

会议录编者/会议主办者IEEE, IEEE MEMS Tech Community ; IEEE ; IEEE MEMS Technical Community
关键词Aluminum nitride Etching III V semiconductors Inductively coupled plasma Mechanics MEMS Nitrides Piezoelectricity Resonators Scandium compounds Surface waves Thin films AlN films Aluminum nitride (AlN) Contour mode resonators Etching rate ICP etching Lamb wave resonators Piezoelectric thin films Quality factors
会议名称34th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS)
会议地点ELECTR NETWORK
会议日期JAN 25-29, 2021
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收录类别EI ; CPCI ; CPCI-S
语种英语
WOS研究方向Engineering ; Science & Technology - Other Topics
WOS类目Engineering, Electrical & Electronic ; Engineering, Mechanical ; Nanoscience & Nanotechnology
WOS记录号WOS:000667731600157
出版者IEEE
EI入藏号20211410171385
EI主题词Chlorine compounds
EI分类号701.1 Electricity: Basic Concepts and Phenomena ; 704.2 Electric Equipment ; 802.2 Chemical Reactions ; 804.2 Inorganic Compounds ; 931.1 Mechanics ; 932.3 Plasma Physics
原始文献类型Proceedings Paper
来源库IEEE
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文献类型会议论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/127748
专题信息科学与技术学院
信息科学与技术学院_PI研究组_吴涛组
信息科学与技术学院_博士生
作者单位
School of Information Science and Technology, ShanghaiTech University
第一作者单位信息科学与技术学院
第一作者的第一单位信息科学与技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhifang Luo,Shuai Shao,Tao Wu. Optimization of AlN and AlScN Film ICP Etching[C]//IEEE, IEEE MEMS Tech Community, IEEE, IEEE MEMS Technical Community:IEEE,2021:638-641.
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