半导体材料及其制备方法和应用

	半导体材料及其制备方法和应用
翻译题名	The invention relates to a semiconductor material and a preparation method and application thereof
申请号	CN202110357192.1
	2021-04-01
公开（公告）号	CN113097054A
公开日期	2021-07-09
摘要	本发明提供一种半导体材料及其制备方法和应用。半导体材料，包括依次层叠设置的硅衬底、缓冲层和外延层；所述缓冲层包括一层或多层IIA‑VIA族元素层，每层所述IIA‑VIA族元素层均包括IIA族和VIA族元素；所述外延层包括IIIA族和VA族元素。半导体材料的制备方法，包括：将所述硅衬底加热进行预处理，然后依次在所述硅衬底上生长所述缓冲层和所述外延层。所述半导体材料的应用，用于激光器和探测器。本申请提供的半导体材料，以同时解决晶格失配和热膨胀系数差异问题。
翻译摘要	The invention provides a semiconductor material as well as a preparation method and application thereof. A semiconductor material including a silicon substrate, a buffer layer, and an epitaxial layer stacked in this order; The buffer layer includes one or more Group IIA-VIA element layers, each of the Group IIA-VIA element layers including Group IIA and Group VIA elements; The epitaxial layer includes Group IIIA and Group VA elements. The preparation method of the semiconductor material comprises the following steps of : heating the silicon substrate for pretreatment, and then sequentially growing the buffer layer and the epitaxial layer on the silicon substrate. The application of the semiconductor material is used for lasers and detectors. The semiconductor material provided by the invention is used for simultaneously solving the problems of lattice mismatch and difference of thermal expansion coefficients.
当前权利人	上海科技大学
专利代理人	王闯
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
专利申请人	上海科技大学
	寇煦丰; 汤辰佳; 李家明; 杜鹏; 方铉
公开国别	中国
公开国别简称	CN
IPC 分类号	H01L21//02; C23C16//30
专利有效性	有效
专利类型	发明申请
专利类型字典	1
当前法律状态	授权
授权公告日	2024-04-09
授权公开（公告）号	CN113097054B
简单同族	CN113097054A
扩展同族	CN113097054A
INPADOC 同族	CN113097054A
文献类型	专利
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/127635
专题	信息科学与技术学院_PI研究组_寇煦丰组信息科学与技术学院_硕士生物质科学与技术学院_公共科研平台_拓扑物理实验室
作者单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	寇煦丰, 汤辰佳, 李家明,等. 半导体材料及其制备方法和应用. CN202110357192.1[P]. 2021-04-01.