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一种真空压弯式弯晶 | |
翻译题名 | Vacuum bending type bent crystal |
申请号 | CN202010825515.0 |
2020-08-17 | |
公开(公告)号 | CN112201383A |
公开日期 | 2021-01-08 |
摘要 | 本发明公开了一种真空压弯式弯晶,其特征在于:包括壳体,所述壳体上设有X射线入射口,从X射线入射口到壳体内部沿X射线入射方向依次设置X射线透射膜、单晶晶片和曲面基底,所述X射线透射膜、壳体的侧壁和底面形成密封腔体,所述密封腔体上设有用于抽真空的排气口,进行晶体压弯时,密封腔体内产生负压,大气压将X射线透射膜柔性地贴合在单晶晶片和曲面基底上。本发明采用真空压弯的方式,各种单晶晶片均可进行压弯,极大地扩展了弯晶的材料选择;利用大气压对单晶晶片和曲面基底柔性地施加应力,受力均匀,结构稳定;可以直接将单晶晶片和曲面基底贴合,复制曲面基底的面形,保持较高的面形精度;同一块单晶晶片可以搭配不同面形的曲面基底,降低制造成本。 |
翻译摘要 | The invention discloses a vacuum bending type bent crystal, which is characterized by comprising a shell, wherein an X-ray incident port is formed in the shell, an X-ray transmission film, a single crystal wafer and a curved surface substrate are sequentially arranged from the X-ray incident port to the interior of the shell in the X-ray incident direction, the X-ray transmission film, the side wall of the shell and the bottom surface of the shell form a sealed cavity, the sealed cavity is provided with an exhaust port used for vacuumizing, negative pressure is generated in the sealed cavity when crystal bending is carried out, and the X-ray transmission film is flexibly attached to the single crystal wafer and the curved surface substrate through atmospheric pressure. According to the invention, by adopting a vacuum bending mode, various single crystal wafers can be bent, so that the material selection of crystal bending is greatly expanded; stress is flexibly applied to the single crystal wafer and the curved surface substrate by utilizing atmospheric pressure, the stress is uniform, and the structure is stable; a single crystal wafer can be directly attached to the curved surface substrate, the surface shape of the curved surface substrate is copied, and high surface shape precision is kept; and the same single crystal wafer can be matched with curved-surface substrates withdifferent surface shapes, so that the manufacturing cost is reduced. |
当前权利人 | 上海科技大学 |
专利代理人 | 徐俊 |
代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 |
专利申请人 | 上海科技大学 |
公开国别 | CN |
公开国别简称 | CN |
IPC 分类号 | G21K1//06 |
CPC分类号 | G21K1//062 |
专利有效性 | 失效 |
专利类型 | 发明申请 |
专利类型字典 | 1 |
当前法律状态 | 驳回 |
简单同族 | CN112201383A |
扩展同族 | CN112201383A |
INPADOC 同族 | CN112201383A |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/127101 |
专题 | 硬x射线自由电子激光装置项目 物质科学与技术学院 大科学中心_PI研究组_翁祖谦组 大科学中心_公共科研平台_大科学装置建设部 |
作者单位 | 上海科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 翁祖谦,刘星,刘鹏. 一种真空压弯式弯晶. CN202010825515.0[P]. 2020-08-17. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 |
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