上海科技大学知识管理系统

摘要：天线耦合的场效应晶体管（FET）太赫兹自混频探测器通常工作在零源漏偏压下，设置恰当的栅极电压可获得最佳的灵敏度。本文测试分析了天线耦合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）太赫兹自混频探测器的源漏偏置电压对太赫兹自混频响应度和噪声的调控作用。研究结果表明，源漏偏置电压在增强响应度的同时也大幅度增强了探测器输出的噪声，特别是1/f噪声，但是在适当的偏置下探测器的噪声等效功率（NEP）仍可低于零偏压下的噪声等效功率,最佳噪声等效功率分别为30pW/Hz 和50pW/Hz 。因此，HEMT自混频探测器在源漏偏置下可实现更高的灵敏度并具有更低的输出阻抗和更高的响应速度。