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带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路 | |
其他题名 | Piecewise curvature compensated bandgap reference circuit with trimming procedure |
2020 | |
发表期刊 | Harbin Gongye Daxue Xuebao/Journal of Harbin Institute of Technology
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ISSN | 0367-6234 |
卷号 | 52期号:4页码:112-18 |
发表状态 | 已发表 |
DOI | / |
摘要 | 为得到高精度低温度系数、高电源抑制比的基准电压,同时为了降低工艺中非理想性因素的影响,设计了一种新的带有修调的分段曲率补偿基准电路.通过利用电阻分压和工作在亚阈值区域的MOSFET的电学特性,产生正温度系数和负温度系数的电流,在高温段和低温段分别对带隙基准电压进行曲率补偿,提出了一种新的快速优化基准电压温度系数的芯片级修调方法,包含温度系数修调和电压幅值修调,可以快速获得最低温度系数对应码值以提升工作效率.基于0.35 mum BCD工艺,流片验证了该修调方案的可行性.结果表明:在- 40℃125℃内,基准电压最低仿真温度系数为0.84 * 10 ~(- 6)/℃,最低实测温度系数为5.33 * 10 ~(- 6)/℃,随机抽样结果显示温度系数的平均值为7.47 * 10 ~(- 6)/℃;采用基于计算斜率的修调方法,测试10块芯片的平均修调次数为3.5次,与使用逐次逼近的修调方法相比,效率提升59.8%;低温度系数的带隙基准电压有利于提升电池管理芯片对电池剩余电量估算的准确性,该带隙基准电路已成功应用于电池管理芯片内高精度模数转换器中. |
关键词 | 分段曲率补偿 修调 基准 温度系数 芯片级修调 |
收录类别 | EI ; CSCD ; 北大核心 |
语种 | 中文 |
WOS研究方向 | Engineering (provided by Clarivate Analytics) |
CSCD记录号 | CSCD:6769971 |
原始文献类型 | Article |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/124476 |
专题 | 物质科学与技术学院_硕士生 |
通讯作者 | 徐大伟 |
作者单位 | 1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2.上海科技大学物理科学与技术学院 3.中国科学院大学 |
第一作者单位 | 上海科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐超,吴灯鹏,李新昌,等. 带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路[J]. Harbin Gongye Daxue Xuebao/Journal of Harbin Institute of Technology,2020,52(4):112-18. |
APA | 徐超,吴灯鹏,李新昌,徐大伟,俞跃辉,&程新红.(2020).带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路.Harbin Gongye Daxue Xuebao/Journal of Harbin Institute of Technology,52(4),112-18. |
MLA | 徐超,et al."带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路".Harbin Gongye Daxue Xuebao/Journal of Harbin Institute of Technology 52.4(2020):112-18. |
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