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Surface-Dominated Conduction in a 6 nm thick Bi2Se3 Thin Film | |
2012 | |
发表期刊 | NANO LETTERS |
ISSN | 1530-6984 |
卷号 | 12期号:3页码:1486-1490 |
发表状态 | 已发表 |
DOI | 10.1021/nl204234j |
关键词 | Intrinsic Topological Insulator Bi2se3 Transport Properties Surface States Quantum Oscillations |
学科领域 | Physics, Condensed Matter |
URL | 查看原文 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
WOS记录号 | WOS:000301406800063 |
出版者 | AMER CHEMICAL SOC |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/1243 |
专题 | 个人在本单位外知识产出 |
作者单位 | 1.Univ Calif Los Angeles, Device Res Lab, Dept Elect Engn, Los Angeles, CA 90095 USA 2.Iowa State Univ, Dept Elect & Comp Engn, Ames, IA 50011 USA 3.Zhejiang Univ, Dept Mat Sci & Engn, Ctr Electron Microscopy, Hangzhou 310027, Zhejiang, Peoples R China 4.Zhejiang Univ, Dept Mat Sci & Engn, State Key Lab Silicon Mat, Hangzhou 310027, Zhejiang, Peoples R China 5.CALTECH, Dept Phys, Pasadena, CA 91125 USA |
推荐引用方式 GB/T 7714 | He, Liang,Xiu, Faxian,Yu, Xinxin,et al. Surface-Dominated Conduction in a 6 nm thick Bi2Se3 Thin Film[J]. NANO LETTERS,2012,12(3):1486-1490. |
APA | He, Liang.,Xiu, Faxian.,Yu, Xinxin.,Teague, Marcus.,Jiang, Wanjun.,...&Wang, Kang L..(2012).Surface-Dominated Conduction in a 6 nm thick Bi2Se3 Thin Film.NANO LETTERS,12(3),1486-1490. |
MLA | He, Liang,et al."Surface-Dominated Conduction in a 6 nm thick Bi2Se3 Thin Film".NANO LETTERS 12.3(2012):1486-1490. |
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