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Quantum Capacitance in Topological Insulators | |
2012 | |
发表期刊 | SCIENTIFIC REPORTS |
ISSN | 2045-2322 |
卷号 | 2页码:- |
发表状态 | 已发表 |
DOI | 10.1038/srep00669 |
学科领域 | MULTIDISCIPLINARY SCIENCES |
URL | 查看原文 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
WOS记录号 | WOS:000308863700002 |
出版者 | NATURE PUBLISHING GROUP |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/1241 |
专题 | 个人在本单位外知识产出 |
作者单位 | 1.Iowa State Univ, Dept Elect & Comp Engn, Ames, IA 50011 USA 2.Univ Calif Los Angeles, Dept Elect Engn, Los Angeles, CA 90095 USA 3.Zhejiang Univ, State Key Lab Silicon Mat, Hangzhou 310027, Peoples R China 4.Zhejiang Univ, Dept Mat Sci & Engn, Ctr Electron Microscopy, Hangzhou 310027, Peoples R China 5.Univ Calif Berkeley, Lawrence Berkeley Natl Lab, Adv Light Source Div, Berkeley, CA 94720 USA 6.Univ Queensland, Ctr Microcopy & Microanal, Brisbane, Qld 4072, Australia |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiu, Faxian,Meyer, Nicholas,Kou, Xufeng,et al. Quantum Capacitance in Topological Insulators[J]. SCIENTIFIC REPORTS,2012,2:-. |
APA | Xiu, Faxian.,Meyer, Nicholas.,Kou, Xufeng.,He, Liang.,Lang, Murong.,...&Wang, Kang L..(2012).Quantum Capacitance in Topological Insulators.SCIENTIFIC REPORTS,2,-. |
MLA | Xiu, Faxian,et al."Quantum Capacitance in Topological Insulators".SCIENTIFIC REPORTS 2(2012):-. |
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