A Compact Memory Structure based on 2T1R Against Single-Event Upset in RRAM Arrays
2019-10
会议录名称2019 IEEE 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ASIC (ASICON)
ISSN2162-7541
页码1-4
发表状态已发表
DOI10.1109/ASICON47005.2019.8983491
摘要

The single-event upset (SEU) has significant influence on the reliability of 1-transistor-1-RRAM (1T1R) array due to heavy ion strikes. This paper proposes a compact memory structure based on 2-transistor-1-RRAM (2T1R), which exploits the signal space between adjacent cells in the RRAM array structure. Results show that the proposed structure can successfully alleviate the SEU effect in RRAM array - it eliminates the overhead of 1ns delay and 400pJ power consumption of READ operation, as well as 2ns delay of RESET operation, at the cost of only 1.9% area overhead compared to the 1T2R structure.

会议地点Chongqing, China
会议日期29 Oct.-1 Nov. 2019
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收录类别EI ; CPCI ; CPCI-S
语种英语
WOS研究方向Engineering ; Telecommunications
WOS类目Engineering, Electrical & Electronic ; Telecommunications
WOS记录号WOS:000541465700065
EI入藏号20201408379058
EI主题词Heavy ions ; Radiation hardening ; Transients
WOS关键词1T1R
原始文献类型Proceedings Paper
来源库IEEE
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文献类型会议论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/114807
专题信息科学与技术学院_博士生
信息科学与技术学院_PI研究组_周平强组
信息科学与技术学院_硕士生
作者单位
School of Information Science and Technology, Shanghaitech University,Shanghai,China,201210
第一作者单位信息科学与技术学院
第一作者的第一单位信息科学与技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
Yu Ma,Dingcheng Jia,Huifan Zhang,et al. A Compact Memory Structure based on 2T1R Against Single-Event Upset in RRAM Arrays[C],2019:1-4.
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