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褚君浩 特聘教授
所在学院: 物质科学与技术学院
研究方向: 半导体物理(中科院上海技术物理研究所研究员)
联系邮箱: 未公开
备注: 院士
褚君浩

研究内容

长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现HgCdTe的带间跃迁、杂质跃迁等基本光电跃迁特性,提出HgCdTe本征光吸收系数表达式和折射率表达式,确定了材料器件的光电判别依据;开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。近年来从事极化材料和器件物理研究以及太阳能光伏电池研究。

科研成果

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